Суббота 21 декабря 16:55   Ясно + 17°

SK Hynix начала производство микросхем 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит

06.06.2019 11:49

SK Hynix начала производство микросхем 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит

Компания SK Hynix приступила к производству 96-слойных микросхем памяти 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит. На данный момент начаты поставки образцов этих микросхем крупным разработчикам контроллеров для твердотельных накопителей. А это означает, что до массового производства этих микросхем, а также накопителей на их основе, остаётся уже не так много времени.

Для начала напомним, что 4D NAND — это маркетинговое название несколько видоизменённой памяти 3D NAND. Компания SK Hynix решила использовать такое название, потому как в её микросхемах периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, располагаются не рядом с ячейками, а перенесены под них (Periphery Under Cell, PUC). Интересно, что подобные решения есть и у других производителей, но они не используют громкое название «4D NAND», а скромно продолжают называть свою память «3D NAND».

По словам производителя, перенос периферии под ячейки позволил уменьшить площадь микросхем более чем на 10 %, по сравнению с классическими микросхемами 3D QLC NAND. Это в сочетании с 96-слойной компоновкой ещё больше повышает плотность хранение данных. Хотя, как известно, память QLC и так отличается высокой плотностью за счёт хранения четырёх бит информации в ячейке.

SK Hynix начала производство микросхем 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит

Сейчас SK Hynix начала поставлять микросхемы 4D QLC NAND объёмом 1 Тбит различным производителям для тестирования и последующего создания накопителей на их основе. Но вместе с этим она сама также работает над SSD на базе этих микросхем памяти. Компания трудится над собственным контроллером, а также разрабатывает программную основу для своих решений, которые планируется поставлять на потребительский рынок. SK Hynix планирует выпустить собственные SSD на базе 4D QLC NAND в следующем году.

2024 © "Светобумага — цифровые технологии 21 века". Все права защищены. Карта сайта | SM |